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J-GLOBAL ID：200903031319600483

接着フィルム、それを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 長谷川 雄二 ,  愛知 且英 ,  杉浦 実 ,  土橋 明彦 ,  川上 広幸
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000371582
Publication number (International publication number)：2002173652
Application date： Dec. 06, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ダイシング時のウェハの固定力とピックアップ時の剥離性をコントロールでき、かつ半導体素子用接着剤の貼付とダイシング工程用フィルムを一括で貼付けることができる接着フィルム、製造工程を簡略化できる半導体装置の製造方法及び信頼性に優れ、かつ低コストで製造可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 多孔質基材上に半導体素子接着用の接着剤層が形成された構造を有してなる接着フィルム、(a)前記接着フィルムの接着剤層側を半導体ウェハ裏面に貼り付ける工程、(b)得られた接着フィルム付き半導体ウェハを、減圧又は吸引によりダイシング装置に固定しダイシングする工程、(c)多孔質基材と接着剤層との間で接着剤付き半導体素子を取り外す工程、(d)取り外した接着剤層付き半導体素子を支持基板に熱圧着により接着する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法、この半導体装置の製造方法により作製された半導体装置並びに前記接着フィルムの接着剤層を介して、半導体素子と支持基板とを接着した構造を有してなる半導体装置。

Claim (excerpt)：

多孔質基材上に半導体素子接着用の接着剤層が形成された構造を有してなる接着フィルム。

IPC (2)：

C09J 7/02 ,  H01L 21/301

FI (3)：

C09J 7/02 Z ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q

F-Term (2)：

4J004CC07 ,  4J004FA05