Pat

J-GLOBAL ID：200903031319835545

高周波半導体装置

Inventor： 辻 聖一 ,  河野 正基
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992208882
Publication number (International publication number)：1994061759
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 幅広の電界効果トランジスタの中央部と両端部に供給されるマイクロ波電力の位相を揃える。【構成】 金属製容器50内に電界効果トランジスタ52が設けられている。このトランジスタ52では、複数のゲートパッドが一方の端部から他方の端部に向かって一列に配列されている。一対の短辺とこれらと直角な一対の長辺とを有する矩形状部76を整合回路74が有し、この矩形状部76の一方の長辺がトランジスタ52の上記各パッドの配列位置の近傍において一方の端部から他方の端部にまで位置し、これら矩形状部76に上記各パッドがそれぞれ金ワイヤー80を介して接続されている。この整合回路74では、矩形状部76の長辺の中央部付近からマイクロ波信号が入力される。矩形状部74の両端部の近傍に、その短辺方向にほぼ平行にスリット100 、102 を有している。

Claim (excerpt)：

金属製容器と、この容器内に設けられており、複数の入力または出力パッドが一方の端部から他方の端部に向かって一列に配列されている高周波用電界効果トランジスタと、一対の短辺とこれらと直角な一対の長辺とを有する矩形状部を有し、この矩形状部の一方の長辺が上記トランジスタの上記各パッドの配列位置の近傍において上記一方の端部から他方の端部にまで位置し、これら矩形状部に上記各パッドがそれぞれ接続され、上記長辺の中央部付近から信号の入出力が行われる整合回路とを、具備し、この整合回路は、上記矩形状部の両端部の近傍において、その短辺方向にほぼ平行なスリットを有している高周波半導体装置。

IPC (3)：

H03F 3/60 ,  H01P 5/02 ,  H01P 5/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-266701
  
• 特開平3-066205
  
• 特開平3-066203
  
• 特開平3-289701
  
• 特開昭64-017501