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J-GLOBAL ID：200903031320689196

偏光素子及びその製造方法

Inventor： 深野 徹 ,  佐藤 恭史 ,  新谷 真人
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996127123
Publication number (International publication number)：1997043429
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 消光比が高く、しかも基板からの剥離が無い信頼性の高い偏光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】透明な誘電体基板2の少なくとも一方の主面上に、誘電体4中に異方性を有する金属粒子5が実質的に均一に分散された偏光層3を設けたことを特徴とする偏光素子1。

Claim (excerpt)：

透光性を有する誘電体基板の少なくとも一方の主面上に、誘電体中に異方性を有する金属粒子が分散された偏光層を設けたことを特徴とする偏光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 偏光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-267021   Applicant：京セラ株式会社
• 特開昭59-083951