Pat
J-GLOBAL ID：200903031320954957
位相シフトマスクの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003179612
Publication number (International publication number)：2005017487
Application date： Jun. 24, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
【課題】シフターと補助パターン(位相差なし)の形成を別々の異なったレジストプロセスを用いることにより、補助パターン(位相差なし)領域に光透過部凹欠陥の発生を防止できる位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】石英基板等からなる透明基板11上にクロム膜からなる遮光膜31が形成された位相シフトマスク用ブランクス10に、まず、第1ポジレジスト層を32形成し、中間マスク20を用いて、シフター51aを形成し、さらに、第2ネガレジスト層を形成し、中間マスク20を用いて、補助パターン(位相差なし)61及び境界領域71を形成して、位相シフトマスクを得る。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
(a)透明基板(11)上に遮光膜(12)が形成された位相シフトマスク用ブランクス(10)上にポジ型のレジストを塗布して、第1ポジ型レジスト層(31)を形成する工程。
(b)別途透明基板(21)上に遮光パターン(22)が形成された中間マスク(20)を用いて、第1ポジ型レジスト層(31)上にパターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、第1レジストパターン(31a)を形成する工程。
(c)第1レジストパターン(31a)をマスクにして遮光膜(12)をエッチングしてメインパターン(51)を形成し、さらに、第1レジストパターン(31a)をマスクにして透明基板(11)を所定の深さエッチングし、レジストパターン(31a)を剥離処理して、メインパターン(位相差あり)からなるシフター(51a)を形成する工程。
(d)遮光膜(12)及びシフター(51a)上にネガ型のレジストを塗布し、第2ネガ型レジスト層(32)を形成し、中間マスク(20)を用いて、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、第2レジストパターン(32a)を形成する工程。
(e)第2レジストパターン(32a)をマスクにして遮光膜(12)をエッチングし、第2レジストパターン(32a)を剥離処理して、透明基板(11)にシフター(51a)、補助パターン(61)、境界領域(71)を形成する工程。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB03
, 2H095BC09
, 2H095BC28
