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J-GLOBAL ID：200903031331620139

耐熱金属でキャップした低抵抗率の導体構造およびその形成方法

Inventor： ラジブ・ヴィー・ジョシ ,  ジェローム・ジェイ・クオモ ,  ホルマズドヤール・エム・ダラール ,  ルイ・エル・シュー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993028812
Publication number (International publication number)：1993343532
Application date： Feb. 18, 1993
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 物理的蒸着(PVD)による低抵抗率金属の付着と化学的蒸着(CVD)による耐熱金属の付着を組み合わせて使用して、基板内のシームまたはホールを充填する低コストの方法を提供すること。【構成】 低抵抗率金属または合金(16)を物理蒸着(たとえば、蒸発またはコリメート・スパッタリング)し、次に耐熱金属(17)を化学蒸着(CVD)して、さらに平面化を行うと、優れた導線およびバイアが形成される。コリメート・スパッタリングにより、誘電体の開口部中に、銅をベースとするメタライゼーションおよびCVDタングステン拡散障壁として適した耐熱金属ライナが形成できる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に位置する誘電層と、前記誘電層の表面と同一平面にある表面から前記基板に向かって延び、前記誘電層の開口部中に位置するメタライゼーションとを備え、前記メタライゼーションが、耐熱金属または合金でカプセル封じされた低抵抗率の金属または合金から成り、前記低抵抗率金属または合金が、前記誘電層の前記表面と同一平面にある前記メタライゼーションの前記表面に向かって相互に内側に向かって傾斜した側壁を有することを特徴とする、デバイス。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-121835
  
• 特開昭60-117719
  
• 特開昭58-021844
  
• 特開平3-123021