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J-GLOBAL ID：200903031344883090
半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341001
Publication number (International publication number)：1993175546
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 発光部である半導体接合部全体に電流を広がらせて、発光効率の向上した半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層2〜6を島状に形成して、この半導体層2〜6上から半導体基板1上にかけて絶縁膜7を形成するとともに、この半導体層2〜6上と半導体基板1上との前記絶縁膜7に小孔7a、7bを設け、この小孔7a、7bを電極8、9の接続部とした。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層を島状に形成して、この半導体層上から半導体基板上にかけて絶縁膜を形成するとともに、この半導体層上と半導体基板上との前記絶縁膜に小孔を設け、この小孔を電極との接続部とした半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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