Pat

J-GLOBAL ID：200903031350431827

新規スルホニウム塩及びその製造方法

Inventor： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  及川 勝之 ,  石原 俊信
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994329913
Publication number (International publication number)：1996157451
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 18, 1996
Summary：

【要約】【構成】 下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)【効果】 本発明の新規スルホニウム塩は、酸発生剤であるスルホニウム塩に少なくとも一つ以上の酸不安定基であるtert-ブトキシカルボニルメトキシ基を導入したことにより、露光部と未露光部の溶解コントラストを大きくすることができるため、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効であり、本発明の一般式(1)で示されるスルホニウム塩を含有するレジスト材料は、ポジ型レジスト材料として遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成でき、感度、解像度、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)

IPC (3)：

C07C381/12 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501