局所的遺伝子発現調節法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322481
Publication number (International publication number)：2001136962
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】任意の局所領域に遺伝子発現を起こさせる方法を提供する。【解決手段】赤外線レーザーを、生物個体の単一細胞、組織などの局所領域に選択的に照射し、生物個体の局所領域の温度を上昇させることにより、熱ショックによる部位特異的遺伝子組換えを引き起こさせる

Claim (excerpt)：

赤外線レーザーを、生物個体の局所領域に選択的に照射し、生物個体の局所領域の温度を上昇させることにより、熱ショックによる部位特異的遺伝子組換えを引き起こさせることを特徴とする局所的遺伝子発現調節法。

IPC (3)：

C12N 15/01 , A01H 1/00 , C12N 13/00

FI (3)：

A01H 1/00 A , C12N 13/00 , C12N 15/00 E

F-Term (8)：

2B030CA15 , 2B030CA17 , 2B030CA19 , 4B033NG05 , 4B033NH02 , 4B033NH10 , 4B033NJ04 , 4B033NK10

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

Genetics, 1996年, vol. 144, p. 715-726
日本レーザー医学会誌, 1998年9月28日, vol. 19, no. 3, p. 27-31
日本分子生物学会年会プログラム・講演要旨集, 1997年, vol. 20th, p. 565(3-510-P-604)

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