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J-GLOBAL ID：200903031350907317

半導体装置の製造方法

Inventor： 木村 秀樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995204188
Publication number (International publication number)：1997050970
Application date： Aug. 10, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プレ・アモルファス化層の深さを浅くした状態で、ドーパントのドーズ量が多い状態でも、ドーパントの熱拡散を抑制し、しかも接合リークが少ない浅い接合を有する半導体装置を製造すること。【解決手段】 ドーパントイオン注入の前工程として、IV族,III族およびV族原子をAとし、VII族原子をBとした場合の分子式がABxの形の分子イオンをプレ・アモルファス化注入する。前記プレ・アモルファス化イオン注入工程においては、ドーパントイオン注入時において予測されるドーパント濃度のピーク深さに対し、当該注入原子AおよびBの濃度のピーク深さが同程度から2倍程度となるように注入エネルギを設定して行うことが好ましい。具体的には、SiFを用い、注入ドーズ量を1×1014から1×1016Ions/cm2の範囲に設定し、25KeV 程度が好ましい。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造方法において、ドーパントイオン注入の前工程として、IV族,III族およびV族原子をAとし、VII族原子をBとした場合の分子式がABxの形の分子イオンをプレ・アモルファス化注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-002117
  
• 特開平4-199707
  
• 特開平4-212418