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J-GLOBAL ID：200903031351870573

ニトロ化フタロシアニン化合物の製造方法、およびそれを用いた光ディスク

Inventor： 坂本 希 ,  玉野 美智子 ,  金子 哲也
Applicant, Patent owner： 東洋インキ製造株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992089536
Publication number (International publication number)：1993255339
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】ニトロ化フタロシアニン化合物の高純度製造法及びニトロ化シリコンフタロシアニンを記録膜素材として770〜810nmの波長範囲で安定した光学特性を有し、完全に記録再生が可能なオレンジブックに準拠した光ディスクを提供する。【構成】フタロシアニン化合物をテトラフルオロほう酸ニトロニウム、または、硫酸アセチルによりニトロ化して式(2)等のニトロ化フタロシアニン化合物を得る製造方法及び式(2)の化合を用いたCD対応の追記型光ディスク。(式中、A1はベンゼン;X1〜X4はH、(置換)アルキル等;MはSi;Yは-P(=0)(R1)(R2);n1〜n4,l1〜l4は0〜2;m=2)

Claim (excerpt)：

一般式(1)で示される化合物に、ニトロニウムテトラフルオロボレート、または硝酸アセチルをニトロ化剤として直接反応させることにより得られる一般式(2)で示されるニトロ化フタロシアニン化合物の製造方法。一般式(1)【化1】[式中、A1 、A2 、A3 、A4 はベンゼン環、またはナフタレン環を表す。X1 、X2 、X3 、X4 は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシル基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいアリールチオ基を表す。中心金属Mは、元素周期率表Ia、Ib、IIa、IIb、IIIa、IIIb、IVa、IVb、Va、Vb、VIbまたはVIIbに属する元素を表す。Yは水素原子、酸素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアシルオキシ基、または、ここで、R1 、R2 は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシル基または置換基を有してもよいアリールオキシ基を表す。n1 、n2 、n3 またはn4 はそれぞれ置換基X1 、X2 、X3 、X4 の数を表し、0〜2の整数を表す。mは置換基Yの数を表し、0〜2の整数を表す。]一般式(2)【化2】[一般式(2)中のA1 、A2 、A3 、A4 、X1 、X2 、X3 、X4 、R1、R2 、M、n1 、n2 、n3 、n4 およびmはそれぞれ一般式(1)で示されるものと同じ意味を表す。l1 、l2 、l3 、l4 はニトロ基の置換基数を表し、それぞれ独立に0〜2の整数を表すが、すべてが同時に0になることはない。]

IPC (13)：

C07D487/22 ,  B41M 5/26 ,  C07F 1/08 ,  C07F 5/06 ,  C07F 7/10 ,  C07F 9/6561 ,  C07F 11/00 ,  C07F 13/00 ,  C07F 15/00 ,  C07F 15/02 ,  C07F 15/04 ,  C07F 15/06 ,  C09K 9/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-256239
  
• 特公平2-008647
  
• 特開昭62-028639