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J-GLOBAL ID：200903031357518634

プラズマを用いた基体処理装置

Inventor： 小林 幹雄 ,  松永 康 ,  関根 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237048
Publication number (International publication number)：1995094478
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 被処理基体3が収納される真空容器1と、高周波電圧が印加され、真空容器1の内部に電磁波を放出する一対のアンテナ電極10a、10bと、前記電磁波によりプラズマを生起するガスを真空容器1内に導入するガス導入部6と、真空容器1内に磁界を発生せしめる磁界発生手段13a、13bと、被処理基体3の表面が前記電磁波、前記磁界、及び前記プラズマの相互作用により形成されるヘリコン波の波長方向に沿うように被処理基体3を載置する基体載置部2aと、真空容器1内のガスを排気するガス排気部7とが具備されてなるプラズマを用いた基体処理装置。【効果】 高密度のプラズマを効率良く発生せしめることができ、半導体装置の製造における歩留まりを改善することができる。

Claim (excerpt)：

被処理基体が収納される真空容器と、高周波電圧が印加され、前記真空容器の内部に電磁波を放出する一対のアンテナ電極と、前記電磁波によりプラズマを生起するガスを前記真空容器内に導入するガス導入部と、前記真空容器内に磁界を発生せしめる磁界発生手段と、前記被処理基体の表面が前記電磁波、前記磁界、及び前記プラズマの相互作用により形成されるヘリコン波の波長方向に沿うように該被処理基体を載置する基体載置部と、前記真空容器内のガスを排気するガス排気部とが具備されてなることを特徴とするプラズマを用いた基体処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205