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J-GLOBAL ID：200903031373641403

温度センサー校正ウエハ構造および製造方法

Inventor： メールダッド エム.モスレヒ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995003599
Publication number (International publication number)：1995311095
Application date： Jan. 12, 1995
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱励起製造プロセスを校正するための、信頼でき、費用効率の高い正確な手段を得る。【構成】 本発明の半導体ウエハ構造は、半導体基板、前記半導体基板の上に配置された複数個の温度感知要素(12)、および温度感知要素(12)を外部装置へ接続する複数個の相互接続ライン(10、14)を含み、前記温度感知要素(12)は温度感知要素の電気的特性がウエハの温度変化に伴って変化するように作られている。更に、本半導体ウエハ構造は半導体基板と温度感知要素に重畳するパッシベーション層を含む。温度感知要素は温度に依存する電気抵抗率を有する高融点導体で作られており、それの幅はそれの長さよりもずっと小さい。相互接続ラインは導体から作られ、前記導体の幅は温度感知要素の高融点導体の幅よりも大きい。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ構造であって、半導体基板、前記半導体基板の上に配置された複数個の温度感知要素であって、前記温度感知要素の電気的特性がウエハ温度の変化に伴って変化するように作製された複数個の温度感知要素、および前記温度感知要素を外部装置へ接続する複数個の相互接続ライン、を含む半導体ウエハ構造。

IPC (2)：

G01K 7/01 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-254331
  
• 特開昭58-072059
  
• 特公平1-043894