気相成長装置を用いたシリコン成膜方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996197916
Publication number (International publication number)：1998036191
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】反応室内の洗浄頻度を低減させて、装置稼働率を向上させる。【解決手段】気相成長装置を用いたシリコンの成膜を行う方法において、サセプタ上に載置した基板上にシリコンの成膜を行い、シリコンの成膜を行う際の温度を950°C以上とし、成膜に際して使用するキャリアガスとシリコン原料ガスとの流量比を、キャリアガス:シリコン原料ガス=1:0.0011〜0.0020とし、基板上に成膜されたシリコンの累積膜厚が、100μm〜200μmになるごとにサセプタの上に積層したシリコンのエッチングを行い、さらにサセプタ5の表面にシリコンコーティングを行う。

Claim (excerpt)：

気相成長装置を用いたシリコンの成膜方法において、サセプタ上に保持された基板上に、シリコンの成膜を行う際の温度を、950°C以上とし、成膜に際して使用するキャリアガスとシリコン原料ガスとの流量比を、キャリアガス:シリコン原料ガス=1:0.0011〜0.0020として、上記基板上にシリコンの成膜を特徴とする気相成長装置を用いたシリコン成膜方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 504 , C30B 25/02 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/06 504 C , C30B 25/02 Z , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-112890
気相成長装置及び装置内のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-223906 Applicant：株式会社東芝
特開昭50-000747

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