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J-GLOBAL ID：200903031386264595
半導体チップの実装構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
桑井 清一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331089
Publication number (International publication number)：1994163764
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体チップの実装構造においてはんだの割れ、剥離、チップの破断等を完全に防止する。【構成】 シリコンチップ16と基板11との間に介在する放熱板13として純度99.9%以上のアルミニウムを使用する。好ましくは放熱板13の厚さを0.2mm以上とする。
Claim (excerpt)：
絶縁基板と、この絶縁基板上に接合層を介して搭載された半導体チップと、これらの絶縁基板と接合層との間に介装された放熱材と、を備えた半導体チップの実装構造において、上記放熱材を、純度99.9%以上のアルミニウムにより形成したことを特徴とする半導体チップの実装構造。
Patent cited by the Patent：
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