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J-GLOBAL ID：200903031434138025

半導体レーザとその製造方法

Inventor： 勝山 造 ,  吉田 伊知朗 ,  橋本 順一 ,  村田 道夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994210097
Publication number (International publication number)：1996078771
Application date： Sep. 02, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光ファイバ増幅器に適用して好適な高信頼性を有する、1μm前後の波長光を発生する半導体レーザを提供する。【構成】 GaAs基板9に形成された半導体レーザであって、バンドギャップがGaAsより小さなGaInAsP歪量子井戸から成る活性層4を有する。この活性層4は、その活性層4のバンドギャップより大きなバンドギャップを有するGaInAsPから成るバリヤ層3,5がヘテロ接合される。かかる構造により、活性層4とバリヤ層3,5を成長させる際に、Ga原料とIn原料の供給量の制御が簡素となり、高い信頼性を有する半導体レーザを実現することができる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板に形成された半導体レーザであって、バンドギャップがGaAsより小さなGaInAsP歪量子井戸から成る活性層を有することを特徴とする半導体レーザ。