Pat

J-GLOBAL ID：200903031450241898

nドープされたシリコン単結晶の製造方法

Inventor： 高橋 著
Applicant, Patent owner： 三菱商事株式会社
Agent (1)： 岡田 数彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242778
Publication number (International publication number)：1994064914
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】熱中性子によるドーピング効率が著しく改良されたシリコン単結晶の製造方法を提供する。【構成】金属シリコンをシリコン化合物に変換し、当該シリコン化合物から多結晶シリコンを得、次いで、当該多結晶シリコンを単結晶に変換した後、当該単結晶に熱中性子を照射して当該シリコン単結晶中の同位体30Siをリンに転換させてnドープされたシリコン単結晶を製造するに当たり、予め、シリコン化合物を濃縮して前記同位体の含有量を自然の存在度以上に高める。

Claim (excerpt)：

金属シリコンをシリコン化合物に変換し、当該シリコン化合物から多結晶シリコンを得、次いで、当該多結晶シリコンを単結晶に変換した後、当該単結晶に熱中性子を照射して当該シリコン単結晶中の同位体30Siをリンに転換させてnドープされたシリコン単結晶を製造するに当たり、予め、シリコン化合物を濃縮して前記同位体の含有量を自然の存在度以上に高めることを特徴とするnドープされたシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/02 ,  H01L 21/26