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J-GLOBAL ID：200903031467069827

書き換え可能データ記憶媒体及び記憶媒体の構成方法

Inventor： デイビッド エム. シャット ,  アレクサンダー ゴビャジノフ ,  トーマス ナベット ,  ポール エイチ. マクレラン
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (2)： 後藤 政喜 ,  松田 嘉夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003297831
Publication number (International publication number)：2004118997
Application date： Aug. 21, 2003
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】読み出し誤りが少なく省電力使用可能な書き換え可能データ記憶媒体の開発。【解決手段】書き換え可能データ記憶媒体(100)は複数のメモリ・セルが論理的に分布する複数の柱状チャネル(108)を構成する誘電体材料(104)と、前記複数のメモリ・セルを実現するための前記複数の柱状チャネル内に充填された充填材料(106)とを備える。各メモリ・セルの前記充填材料が、第1の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第1の形態と、第2の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第2の形態を有する。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

複数のメモリ・セルが論理的に分布する複数の柱状チャネルを構成する誘電体材料と、 前記複数のメモリ・セルを実現するための前記複数の柱状チャネル内に充填された充填材料とを含み、 各メモリ・セルの前記充填材料が、第1の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第1の形態と、第2の記憶可能な論理値に対応する少なくとも1つの第2の形態を有する書き換え可能データ記憶媒体。

IPC (2)：

G11C11/42 ,  H01L27/10

FI (2)：

G11C11/42 Z ,  H01L27/10 451

F-Term (5)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR29