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J-GLOBAL ID:200903031467399282

電子写真感光体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 内田 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994312022
Publication number (International publication number):1996171221
Application date: Dec. 15, 1994
Publication date: Jul. 02, 1996
Summary:
【要約】【目的】 低温で感光体の作製が可能で、高硬度で耐摩耗性に優れ、光学特性、電気特性に優れ、かつ、低摩擦力、低エネルギー表面を有し、耐酸化性を有する表面層を備えた有機感光体を提供しようとするものである。【構成】 導電性基板上に有機光導電層及び表面層を有する電子写真感光体であって、表面層が窒素を含むアモルファスシリコンで形成され、表面層の最表面におけるN/Siが0.8 〜1.33の範囲、O/Siが 0〜0.9 の範囲にある感光体、及び、水素化ケイ素及び/又はハロゲン化ケイ素ガスと窒素ガスを原料にし、水素ガスを添加せずに、80〜150 °Cの範囲の温度で窒素を含むアモルファスシリコン表面層を形成した後、窒素ガスプラズマ処理を施す感光体の製造方法である。
Claim (excerpt):
導電性基板上に有機光導電層及び表面層を有する電子写真感光体において、前記表面層が窒素を含むアモルファスシリコンで形成され、前記表面層の最表面におけるN/Si元素組成比が0.8〜1.33の範囲、O/Si元素組成比が0〜0.9の範囲にあることを特徴とする電子写真感光体。
IPC (6):
G03G 5/08 305 ,  G03G 5/08 304 ,  G03G 5/08 306 ,  G03G 5/08 360 ,  G03G 5/06 ,  G03G 5/147 505

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