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J-GLOBAL ID：200903031469436878

半導体レーザ実装方法

Inventor： 小田切 雄一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334373
Publication number (International publication number)：1993145181
Application date： Nov. 22, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザモジュールの寿命を向上させるため、寿命の支配要因である半田クリープの問題を軽減させる。【構成】 ヒートシンク3と半導体レーザ4、シートシンク3と半導体レーザパッケージステム2の固定にガラス材料5を用いる。【効果】 クリープの問題が破壊されるまで殆ど生じない。またガラス材料は従来の半田材料に較べて高温で融解する。このため、環境温度条件が厳しい状況に半導体レーザモジュールがおかれても、高い寿命を維持できる。

Claim (excerpt)：

電気信号を光信号に変換するための半導体レーザの実装方法であって、ヒートシンク上に実装される半導体レーザ又は、半導体パッケージステム上に実装されるヒートシンクの少なくとも一組をガラス材料を用いて固定することを特徴とする半導体レーザ実装方法。