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J-GLOBAL ID：200903031479648083

半導体装置

Inventor： 芦分 範之 ,  大田黒 俊夫 ,  印南 民雄 ,  出居 昭男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 吉岡 宏嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999188378
Publication number (International publication number)：2001015966
Application date： Jul. 02, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 動作の安定性を向上した半導体装置を提供する。【解決手段】 基板3と、この基板3に搭載された第1と第2の電子部品5、7と、第1と第2の電子部品5、7を内包して基板3に固定されたカバー17と、第1の電子部品5に熱的に接合してカバー17内部に設けられた冷熱源15と、第2の電子部品7とカバー17とを熱的に接合して設けられる伝熱部材33とを備えてなり、カバー17は、このカバー17の少なくとも冷熱源15に対向する部分と伝熱部材33の接合部分とを含む領域が熱伝導性を有する材料で形成する。伝熱部材33を介して第2の電子部品7の熱がカバー17に伝わるため、、カバー17の外側表面での結露や着霜の発生を防ぎ、半導体装置の動作の安定性を向上できる。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板に搭載された第1と第2の電子部品と、前記第1と第2の電子部品を内包して前記基板に固定されたカバーと、前記第1の電子部品に熱的に接合して前記カバー内部に設けられた冷熱源と、前記第2の電子部品と前記カバーとを熱的に接合して設けられる伝熱部材とを備えてなり、前記カバーは、該カバーの少なくとも前記冷熱源に対向する部分と前記伝熱部材の接合部分とを含む領域が熱伝導性を有する材料で形成されている半導体装置。

IPC (2)：

H05K 7/20 ,  H01L 23/473

FI (2)：

H05K 7/20 D ,  H01L 23/46 Z

F-Term (17)：

5E322AA05 ,  5E322AA11 ,  5E322AB06 ,  5E322AB11 ,  5E322BB04 ,  5E322BC05 ,  5E322DC01 ,  5E322EA03 ,  5E322FA01 ,  5E322FA02 ,  5E322FA04 ,  5E322FA09 ,  5F036AA01 ,  5F036BB05 ,  5F036BB14 ,  5F036BB21 ,  5F036BB23