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J-GLOBAL ID：200903031479881756

赤外発光ダイオードおよびその製造方法

Inventor： 赤井 光邦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277741
Publication number (International publication number)：1999121792
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 赤外発光ダイオードにおいて、低電流での光出力の低下を少なくする。【解決手段】 N型GaAsエピタキシャル層2とP型GaAsエピタキシャル層3との間に、ドーパント濃度が高いP型GaAsエピタキシャル薄膜4を形成する。これにより、P/N接合の空乏層幅が短くなり、空乏層内での再結合電流成分が低下する。

Claim (excerpt)：

N型GaAsエピタキシャル層とP型GaAsエピタキシャル層との間に、該P型GaAsエピタキシャル層の該N型GaAsエピタキシャル層側表面近傍部分よりもドーパント濃度が高いP型GaAsエピタキシャル薄膜が設けられ、該P型GaAsエピタキシャル薄膜近傍の該P型エピタキシャル層部分で発光が主として生じる赤外発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭45-035727
  
• 特開昭62-293788
  
• 特開昭62-186576