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J-GLOBAL ID：200903031482774855

集積回路を形成する方法

Inventor： ミン フワン ,  ロバート ツ ,  ウェイ - ユン スー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999274037
Publication number (International publication number)：2000114492
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 集積回路のMIMキャパシタをコスト効果をもって製造する。【解決手段】 MIMキャパシタ120を製造するコスト効果のある方法。金属106のデポジッションの後、CO2及びH2を含む酸化組成を使って、金属酸化物108を形成する。CO2/H2ガス比は選択的な酸化が出来るように制御される。この為、強力な還元剤としてのH2及びCO2の両方が存在することにより、金属106は実効的に酸化から保護される。

Claim (excerpt)：

集積回路を形成する方法に於いて、構造物の上に金属層を形成し、CO2及びH2を含む組成を用いて、前記金属層の少なくとも一部分を露出した状態で前記構造物を選択的に酸化して、前記金属層を酸化から実質的に保護しながら、前記金属層の上に金属酸化物層を形成する工程を含む方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C