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J-GLOBAL ID:200903031506059419

薄膜垂直磁気記録媒体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995115656
Publication number (International publication number):1996315347
Application date: May. 15, 1995
Publication date: Nov. 29, 1996
Summary:
【要約】【構成】 3層構造からなる薄膜垂直磁気記録媒体である。この磁気記録媒体は、ベースフィルム1上に形成された垂直コラム構造の第一の磁性層2と、第一の磁性層2上に形成された斜方コラム構造の第二の磁性層3と、第二の磁性層3上に形成された垂直コラム構造の第三の磁性層4とを有する。第二の磁性層の斜方コラム構造のコラム角θは30 ゚から70 ゚の範囲にあり、好ましくはベースフィルム1と第一の磁性層2の間に軟磁性材料からなるアンダーコート層が設けられる。【効果】 オーバーライト特性が良好であると共に、減磁を抑制して高出力を得ることのできる薄膜垂直磁気記録媒体が提供される。
Claim (excerpt):
ベースフィルム上に形成された垂直コラム構造の第一の磁性層と、該第一の磁性層上に形成された斜方コラム構造の第二の磁性層と、該第二の磁性層上に形成された垂直コラム構造の第三の磁性層とを有することを特徴とする、薄膜垂直磁気記録媒体。
IPC (2):
G11B 5/66 ,  G11B 5/85
FI (2):
G11B 5/66 ,  G11B 5/85 A

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