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J-GLOBAL ID：200903031517165245

ナノグラファイバー及びナノグラファイバーシートの製造方法

Inventor： 長廻 武志 ,  上村 佐四郎 ,  余谷 純子 ,  山田 弘 ,  倉知 宏行
Applicant, Patent owner： ノリタケ伊勢電子株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001114014
Publication number (International publication number)：2002316807
Application date： Apr. 12, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 均質で再現性の良いナノグラファイバー及びナノグラファイバーシートの製造方法を提供する。【解決手段】 陰極となる第1の炭素電極2と、陽極となる第2の炭素電極3とを対向させて配置し、水素ガス雰囲気中でこれらの炭素電極の間にアーク放電を発生させ、第1の炭素電極2にナノグラファイバーを含む堆積物を生成させるナノグラファイバーの製造方法において、第2の炭素電極3の第1の炭素電極2と対向する面に凸部を設け、第1の炭素電極2と第2の炭素電極3の凸部とを接触させた後、これらの炭素電極間に所定電流を流すと同時にこれらの炭素電極の間隔を所定距離となるまで所定速度で広げる。さらに、堆積物が生成された第1の炭素電極2を酸素ガスを有する雰囲気中で所定温度に加熱し、堆積物からナノグラファイバーシートを取り出す。

Claim (excerpt)：

陰極となる第1の炭素電極と、陽極となる第2の炭素電極とを対向させて配置し、水素ガス雰囲気中でこれらの炭素電極の間にアーク放電を発生させ、前記第1の炭素電極にナノグラファイバーを含む堆積物を生成させるナノグラファイバーの製造方法において、前記第2の炭素電極の前記第1の炭素電極と対向する面に凸部を設け、前記第1の炭素電極と前記第2の炭素電極の凸部とを接触させた後、これらの炭素電極間に所定電流を流すと同時にこれらの炭素電極の間隔を所定距離となるまで所定速度で広げること特徴とするナノグラファイバーの製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/133

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/133

F-Term (11)：

4G046CA00 ,  4G046CB02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB09 ,  4G046CC09 ,  4L037CS04 ,  4L037FA02 ,  4L037PA01 ,  4L037PA10 ,  4L037PA19 ,  4L037PA28