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J-GLOBAL ID：200903031518542395
半導体不揮発性メモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993077303
Publication number (International publication number)：1994291327
Application date： Apr. 05, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】浮遊ゲート電極を有する半導体不揮発性メモリにおいて、浮遊ゲート電極から電子を放出する消去動作後に、メモリセルを劣化させることなくしきい値のバラツキを制御する。【構成】P型半導体基板1上に構成された浮遊ゲート電極3を有する半導体不揮発性メモリにおいて、浮遊ゲート電極3から電子を放出する消去動作後に、P型半導体基板1を負電位にして、制御ゲート電極5を所定の電位に固定し、ドレインを接地しソースに正電圧を印加するか、或はソースを接地しドレインに正電圧を印加するかして、ソース又はドレインの近傍で生成させた2次電離衝突ホットエレクトロンを浮遊ゲート電極に注入して、メモリセルを正孔の注入で劣化させることなく、メモリセルのしきい値のバラツキを小さく制御する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面部のP型半導体領域の表面に第1のゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、第2のゲート絶縁膜及び制御ゲート電極が順次積層された複合ゲートと、前記P型半導体領域の表面部に前記複合ゲート直下部を間に挟んで配置された一対のN型拡散層とからなる記憶素子をメモリセルアレイに有する半導体不揮発性メモリにおいて、前記浮遊ゲート電極に蓄積された電子を前記N型拡散層の一つまたは前記P型半導体領域に放出させ、しかる後前記P型半導体領域に負電位を供給し、前記N型拡散層の一方に接地電位を供給し、前記N型拡散層の他方に正電位を供給することにろい前記N型拡散層の他方の近傍で2次電離衝突ホットエレクトロンを発生させてその一部を前記浮遊ゲート電極へ注入することにより前記記憶素子のしきい値を制御する手段を備えていることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
