半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999113657
Publication number (International publication number)：2000306938
Application date： Apr. 21, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】再配線層に“マイグレーション”や“コロージョン”の発生を抑制できる構造を持つ半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】集積回路に電気的に接続されたパッド3と、パッド3に通じる開孔5を有するパッシベーション膜4と、開孔5を介してパッド3に電気的に接続されるとともにパッシベーション膜4上に引き出された再配線層6と、再配線層6を完全に被覆するとともに、パッシベーション膜4上に張り出した張出部位9を有するバリアメタル層8と、再配線層6上のバリアメタル層8に達する開孔11を有する有機膜10と、開孔11およびバリアメタル層8を介して再配線層6に電気的に接続されるバンプ電極12とを具備することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

集積回路が形成され、この集積回路に電気的に接続されるパッドを有する半導体基板と、前記基板上に形成され、前記パッドに通じる開孔を有するパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の開孔を介して前記パッドに電気的に接続されるとともに前記パッシベーション膜上に引き出された再配線層と、前記再配線層を完全に被覆するとともに、前記パッシベーション膜上に張り出した張出部位を有するバリアメタル層と、前記バリアメタル層および前記パッシベーション膜上に形成され、前記再配線層上の前記バリアメタル層に達する開孔を有する有機膜と、前記有機膜の開孔および前記バリアメタル層を介して前記再配線層に電気的に接続されるバンプ電極とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 23/12

FI (2)：

H01L 21/92 602 L , H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-161735
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-175447 Applicant：株式会社東芝
特開昭58-068949

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