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J-GLOBAL ID：200903031542847636

酸化アルミニウム膜の形成方法およびX線マスクの製造方法

Inventor： 杉原 真児 ,  伊藤 正光 ,  東 司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991296070
Publication number (International publication number)：1993136028
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、スパッタリング法により高品質の酸化アルミニウム薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。また本発明は、化学増幅型のレジストを用いてアルミニウム系物質からなるX線吸収体膜パターン形成用マスクを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の第1では、チャンバー内のベース圧力を1.0×10-6Torr以下にし、基板表面にスパッタリング法により酸化アルミニウム膜を形成するようにしている。また、本発明の第2では、アルミニウムやアルミニウム化合物をマスクとしたX線吸収体パターンの形成に際し、炭素膜を介して化学増幅型レジストを形成するようにしている。

Claim (excerpt)：

チャンバー内を1.0×10-6Torr以下に真空排気する真空排気工程と基板表面にスパッタリング法により酸化アルミニウム膜を形成する酸化アルミニウム堆積工程とを含むことを特徴とする酸化アルミニウム膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16