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J-GLOBAL ID：200903031546726825
超LSI製造用露光装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993271497
Publication number (International publication number)：1994201992
Application date： Jul. 27, 1983
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 超LSI製造用の投影露光装置の投影光学系が露光エネルギーの一部を吸収して倍率変動を起こさないように補正する。【構成】 投影光学系内の空気間隔のうち、単位圧力変化に対する倍率変化量が大きく、かつ結像面位置の変化量が最小となっている空気間隔を気密室とし、露光エネルギーの蓄積に関する情報を検知し、その情報に基づいて気密室内の気体圧力をフィードバック制御する。
Claim (excerpt)：
投影すべきパターンを有するレチクルを均一照明する照明手段と、複数の光学素子と複数の空気間隔とで構成され、前記レチクルのパターンを結像投影する投影光学系と、投影されたパターンによって露光される感光基板を載置するステージと、前記投影光学系内の選ばれた空気間隔を外気から遮断した気密室とし、該気密室内の気体の屈折率を強制的に変化させて前記投影光学系の結像特性を微小変化させる調整器とを備え、前記感光基板上に超LSI素子を露光するための超LSI製造用露光装置において、前記レチクルパターンを投影露光する間に前記投影光学系に蓄積される露光エネルギーに関する情報を検知する手段と;該露光エネルギーによって生ずる前記投影光学系の倍率変動を補正するのに必要な前記気密室内の気体の屈折率に対応した値を、前記検知された情報に基づいて算出する演算手段と;前記気密室内の気体の屈折率が前記算出された値と等価になるように前記調整器をフィードバック制御する制御系とを備えたことを特徴とする超LSI製造用露光装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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