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J-GLOBAL ID：200903031559777720

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 今井 馨太郎 ,  奥村 勝弥
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993227467
Publication number (International publication number)：1994177347
Application date： Sep. 13, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、十分なキャパシタ容量を確保することができ、特性のばらつきがなく信頼性の高いキャパシタを提供することを目的とする。【構成】 本発明では下部電極117として単結晶または高配向の準単結晶を形成するとともにこの上層にこのストレージノード電極にエピタキシャル成長させたペロブスカイト型の高誘電体膜118をキャパシタ絶縁膜として形成し、さらにこの上層に上部電極119を形成している。

Claim (excerpt)：

所望の素子領域の形成された半導体集積回路基板表面に、キャパシタを具備してなる半導体装置において、前記キャパシタは前記半導体集積回路基板表面に形成された単結晶の、または準単結晶状態で配向した導電体からなる第1の電極と、前記第1の電極上に単結晶として、または準単結晶状態で配向して形成され、ペロブスカイト型の結晶構造を有する容量絶縁膜と、この容量絶縁膜の上層に形成された第2の電極とから構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 325 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-108759
  
• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-162534   Applicant：ローム株式会社
• 特表平7-504784