半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998028448
Publication number (International publication number)：1999224890
Application date： Feb. 10, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】水分による腐食による導通不良や水分が蒸発することにより起こる剥離(デラミネーション)不良を防止すること、および、導電部とプリント基板の熱膨張係数の違いにより導電部に応力が発生し、導電部の半導体装置側端部が剥離することや、ボール自体が破壊されることを防止する。【解決手段】半導体チップの電極2が設けられた主面のみを絶縁性樹脂コートする絶縁性樹脂コート部5が設けられた半導体装置であって、主面の外周に沿ってハーフカット部4が設けられており、絶縁性樹脂コート部はハーフカット部を含む主面を絶縁性樹脂コートしていること、および、導電部7は弾性樹脂部8を導電層10で覆った構造であり、導電層が半導体装置と外部の導通を行う。

Claim (excerpt)：

半導体チップの電極が設けられた主面のみを絶縁性樹脂コートする絶縁性樹脂コート部が設けられた半導体装置であって、主面の外周に沿ってハーフカット部が設けられており、絶縁性樹脂コート部はハーフカット部を含む主面を絶縁性樹脂コートしていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12

FI (2)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-305945
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-044892 Applicant：富士通テン株式会社
特開平1-192125

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