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J-GLOBAL ID：200903031572396027

縦型MOS半導体装置及びその製造方法

Inventor： 北平 康雄 ,  及川 慎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993127352
Publication number (International publication number)：1994338616
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ソース・ドレイン間の耐圧の劣化を招くことなく、パワーMOSFETのON抵抗を低減させることのできる縦型MOS半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 一導電型のドレイン領域2に規則的に配列された反対導電型のボディ領域6と、該ボディ領域6内に配置された一導電型のソース領域5と、該ソース領域5と前記ドレイン領域2間にチャネルを形成するゲート電極8とを備えた縦型MOS半導体装置において、前記規則的に配列された相隣接するボディ領域6間のπ部分10に前記一導電型の高濃度領域を第1の段13と第2の段14の2段備えた。

Claim (excerpt)：

一導電型のドレイン領域に規則的に配列された反対導電型のボディ領域と、該ボディ領域内に配置された一導電型のソース領域と、該ソース領域と前記ドレイン領域間にチャネルを形成するゲート電極とを備えた縦型MOS半導体装置において、前記規則的に配列された相隣接するボディ領域間のπ部分に前記一導電型の高濃度領域を第1の段と第2の段の2段備えたことを特徴とする縦型MOS半導体装置。