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J-GLOBAL ID：200903031582114100

青色発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114541
Publication number (International publication number)：1994177423
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とできる構造を提供する。【構成】 n型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層3と、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5の範囲である。)層4と、p型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層5とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備するダブルへテロ構造の青色発光素子。

Claim (excerpt)：

n型Ga<SB>1-a</SB>Al<SB>a</SB>N(0≦a<1)層と、n型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5の範囲である。)層と、p型Ga<SB>1-b</SB>Al<SB>b</SB>N(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-228776
  
• 特開平4-068579
  
• 特開平3-203388
  
• 特開平3-218625