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J-GLOBAL ID:200903031584065174

シンチレータ用のルテチウム含有結晶の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小橋 一男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995280555
Publication number (International publication number):1997118593
Application date: Oct. 27, 1995
Publication date: May. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 結晶全体にわたり実質的に一様なシンチレーション特性を有するシンチレータ用の結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 ルテチウムオキシオルトシリケート結晶等のルテチウム含有結晶の製造方法において、結晶と該結晶が引き出される溶融体との間の界面を、該結晶が成長されるに従い、実質的に平坦状に維持する。チョクラルスキー成長方法においては、結晶の回転速度及びその直径は典型的に結晶が引き出される場合に平坦な界面を与えるべく制御することが可能である。本方法によって製造された結晶は、シンチレーション動作において発生する変動が少なく、従って分光のために使用するのに特に適したものとしている。この様な結晶は穿孔検層ツールに使用するのに適している。
Claim (excerpt):
ルテチウム化合物の溶融体を形成し、結晶と該溶融体との界面を実質的に平坦状に維持しながら、前記溶融体から結晶を引き出す、ことを特徴とするルテチウム含有結晶の成長方法。
IPC (2):
C30B 29/22 ,  G01T 1/202
FI (2):
C30B 29/22 Z ,  G01T 1/202

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