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J-GLOBAL ID：200903031586396135

DCパワー減少抵抗を有するコヒーレントTHzエミッタ

Inventor： コール,ブライアン,エドワード ,  エヴァンズ,マイケル,ジョン ,  クラフ,ジュリアン,アレクサンダー
Applicant, Patent owner： テラビュー リミテッド
Agent (3)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004533661
Publication number (International publication number)：2005538543
Application date： Sep. 04, 2003
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

周波数の第1領域において放射線を出射するためのエミッタは:光導電性材料(11)と;光導電性ギャップにバイアスを適用するために、前記光導電性材料(11)により与えられる前記光導電性ギャップにより分離されている第1及び第2接触要素(12、13、14)と;から構成されるエミッタであり、前記の第1及び第2接触要素12、13、14)の少なくとも1つは、周波数の第1領域より低い周波数の第2領域にある前記第1及び第2接触要素間の電流を制限するための抵抗要素(14)から構成される。

Claim (excerpt)：

周波数の第1領域において放射線を出射するためのエミッタであって: 光導電性材料;並びに 光導電性ギャップにおいてバイアスを印加するために前記光導電性材料により与えられる前記光導電性ギャップにより隔てられている、第1及び第2接触要素; から構成されるエミッタであり、 前記の第1及び第2接触要素の少なくとも1つは、周波数の第1領域より低い周波数の第2領域にある前記第1及び第2接触要素間の電流を制限するための抵抗要素から構成される; ことを特徴とするエミッタ。

IPC (1)：

H01S1/02

FI (1)：

H01S1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 超高周波発振素子およびそれを用いた超高周波発振装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-212824   Applicant：日本電気株式会社
• 光伝導素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-060643   Applicant：日本電気株式会社