半導体レーザ装置およびその調整方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003073830
Publication number (International publication number)：2004281890
Application date： Mar. 18, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】各活性領域に入射するレーザ光は、複数の活性領域から放出したレーザ光であるため、各活性領域の位相の交じり合ったレーザ光となり、高集光化を阻害する。【解決手段】レーザ光を放出する活性領域が活性層に平行な方向に複数個配置されたレーザ光放出手段と、前記複数の活性領域から放出されたレーザ光のビーム発散性を抑制するコリメートレンズとを備え、前記コリメートレンズは、前記活性領域から放出された各レーザ光の一部を前記活性領域に隣り合う活性領域に反射させ、かつ、前記反射光の光路長が(1/4)*タルボット長の整数倍にすることにより、位相同期する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

レーザ光を放出する活性領域が活性層に平行な方向に複数個配置されたレーザ光放出手段と、前記複数の活性領域から放出されたレーザ光のビーム発散性を抑制するコリメートレンズとを備え、前記コリメートレンズは、前記活性領域から放出された各レーザ光の一部を前記活性領域に隣り合う活性領域に反射させ、かつ、前記反射光の光路長が(1/4)*タルボット長の整数倍である半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S5/22 , H01S5/022

FI (2)：

H01S5/22 610 , H01S5/022

F-Term (9)：

5F073AA01 , 5F073AA42 , 5F073AA89 , 5F073AB02 , 5F073AB26 , 5F073EA18 , 5F073FA08 , 5F073FA11 , 5F073FA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-099512 Applicant：松下電器産業株式会社
オプトエレクトロニクス送信モジュール
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-524752 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平2-237089

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