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J-GLOBAL ID：200903031605406716

炭化珪素半導体素子の製造方法

Inventor： 上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994028624
Publication number (International publication number)：1995240409
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】炭化珪素結晶表面を熱酸化する場合に、酸化速度を増大し、選択酸化を可能にする。【構成】炭化珪素結晶表面に、燐、窒素、アルゴン、砒素、ネオン、フッ素、アルミニウムのいずれかのイオンを注入した後熱酸化する。酸化膜厚をイオン注入無しの場合に比べ2〜3倍にできる。選択的にイオン注入すれば、その部分だけに厚い酸化膜ができて選択酸化が可能になる。加速電圧を50keV以上にし、ドーズ量を5×1014以上にすれば、より有効である。

Claim (excerpt)：

炭化珪素結晶の結晶表面に元素のイオン注入を行った後熱酸化することを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/469