Pat

J-GLOBAL ID：200903031616398871

基板金属化法

Inventor： 山添 博司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181437
Publication number (International publication number)：1997031660
Application date： Jul. 18, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィー技術を用いることなく比較的少数の処理工程により基板上に金属膜パターンを形成することができる基板金属化法を提供する。【解決手段】 基板1主面の全面に対してチタネート系カップラー層3を形成し、当該チタネート系カップラー層3の所定部分に紫外線オゾン処理を施すことにより、当該所定部分を前記基板1上から完全に除去し、この後、このチタネート系カップラー層3のパターンが形成された基板主面を塩化第1錫(SnCl2)の水溶液に接触させて塩化第1錫層6を形成し、次に水洗し、次に塩化パラジウム水溶液(PdCl2 )に接触させてパラジウム層7を形成し、次に無電解金属化浴中に浸漬させてニッケル-金メッキ層8を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に金属膜パターンを形成する基板金属化法であって、基板主面の全面に対してチタネート系カップラー層を形成し、当該チタネート系カップラー層の所定部分に紫外線オゾン処理を施すことにより、当該所定部分を前記基板上から完全に除去し、この後、このチタネート系カップラー層のパターンが形成された基板主面を塩化第1錫(SnCl2 )の水溶液に接触させ、次に水洗し、次に塩化パラジウム(PdCl2 )水溶液に接触させ、しかる後、当該基板主面を無電解金属化浴中に浸漬させることを特徴とする基板金属化法。

IPC (4)：

C23C 18/18 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1335

FI (4)：

C23C 18/18 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1335