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J-GLOBAL ID：200903031619107630

高圧電界効果トランジスタ及び集積回路

Inventor： 植田 敏明
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Agent (1)： 江原 省吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991175691
Publication number (International publication number)：1993021791
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高圧MOSトランジスタのドレイン・ソース間の耐圧劣化の防止。【構成】 半導体基板(1)のチャネルストッパ領域(2)で囲まれた部所にドレイン領域(3)とソース領域(4)を形成し、ドレイン・ソース領域間上に酸化膜(5)を介しゲート電極(6)を形成し、ドレイン領域(3)上にドレイン電極(7)をその一部から延長するドレイン電極引出パターン(8)と共に形成する。このトランジスタのドレイン・チャネルストッパ領域間とドレイン電極引出パターン(8)の交差する部所(20)に低電位電極(9)を絶縁層(10)を介して形成する。低電位電極(9)は、高電位のドレイン電極引出パターン(8)の電界が、ドレイン・チャネルストッパ領域間に作用するのを防止する電界シールド作用を呈し、ドレイン・ソース間の耐圧劣化を防止する。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体基板の同一導電型チャネルストッパ領域で囲まれた部所に、他導電型不純物を選択拡散してドレイン領域とソース領域を形成し、ドレイン・ソース領域間上に酸化膜を介しゲート電極を形成し、ドレイン領域上にドレイン電極をその一部から延長するドレイン電極引出パターンと共に形成した高圧電界効果トランジスタにおいて、ドレイン・チャネルストッパ領域間とドレイン電極引出パターンの交差する部所に低電位電極を絶縁層を介して形成したことを特徴とする高圧電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088

FI (2)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 102 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-197172
  
• 特開昭53-072577
  
• 特開昭62-229880