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J-GLOBAL ID:200903031635552830

化学増幅型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鐘尾 宏紀 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998095680
Publication number (International publication number):1999295887
Application date: Apr. 08, 1998
Publication date: Oct. 29, 1999
Summary:
【要約】【目的】高感度で、高解像性を示し、プロセス適応性、プロセス安定性に優れ、パターン形状の良い、集積回路素子等の製造での微細加工材料として適した化学増幅型レジスト組成物を堤供する。【構成】酸により遊離しうる置換基を含有する有機物と放射線の照射により酸を発生する化合物(酸発生剤)を含有し、放射線の照射により発生した酸の触媒作用により、放射線照射部のアルカリ現像液に対する溶解生を変化させてパターンを形成する化学増幅型レジスト組成物において、酸発生剤として、オニウム塩の少なくとも1種とスルホン化合物およびスルホネート化合物の少なくとも1種とを併用する。また、レジスト組成物中に塩基性化合物を含有せしめることが好ましい。
Claim (excerpt):
酸により遊離しうる置換基を含有する有機物および放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、放射線の照射により発生した酸の触媒作用により、放射線照射部分のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成する化学増幅型レジスト組成物において、放射線の照射により酸を発生する化合物が、オニウム塩化合物の少なくとも1種とスルホン化合物およびスルホネート化合物から選ばれた少なくとも1種とからなることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
IPC (3):
G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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