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J-GLOBAL ID：200903031636597960
光起電力素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991269423
Publication number (International publication number)：1993110125
Application date： Oct. 17, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 透過率を高い値に維持しつつ、抵抗値を下げ光起電力素子の光電変換効率が向上した光起電力素子を提供することにある。【構成】 本発明は、光起電力素子において、半導体層と光入射面の反対側に有る裏面電極102の間に導電率を変化させる金属等の元素を膜厚方向で変化して添加してある透明導電層103を有するものである。
Claim (excerpt)：
光入射面の反対側に設けられた裏面電極と半導体からなる光電変換層との間に、透明導電層を有する光起電力素子において、該透明導電層に導電率を変化させる元素を含有させ、該元素の添加量が膜厚方向で変化している事を特徴とする光起電力素子。
IPC (3)：
H01L 31/04
, C01G 15/00
, C01G 19/00
