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J-GLOBAL ID：200903031645287523

放電プラズマ処理装置

Inventor： 内田 岱二郎
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994052418
Publication number (International publication number)：1995090632
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ処理装置において、磁気中性線放電によりプラズマを生成すること及びそのプラズマの特性及び生成位置を電気的に任意に調整可能にすること。【構成】 少なくとも二つの電磁コイルまたは直線状電流棒から成る磁場発生手段(または同等の効果をもつ磁石より成る磁場発生手段)により発生された連続した磁場ゼロの位置から成る磁気中性線に沿って高周波または直流電場発生手段により放電を起させ、プラズマを発生する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内でプラズマを利用して被処理物を処理するようにした放電プラズマ処理装置において、真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である磁気中性線を形成するようにした磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って電場を形成してこの磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生手段とを設けたことを特徴とする放電プラズマ処理装置。

IPC (5)：

C23F 4/00 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46