半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260709
Publication number (International publication number)：1996124907
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体基板上の絶縁膜に上層配線を形成する場合段切れの生じない良好なコンタクト孔を形成する。【構成】半導体基板1上の絶縁膜2上に形成したフォトレジスト膜3に開孔部4Aを形成した後、全面にCとFを主成分とする堆積膜5を形成し、次に開孔部4Aの底面の堆積膜を異方性プラズマエッチングにより中央から周辺に向かって除去し、同時に開孔部4Aの下方の絶縁膜2を前記プラズマエッチングにより除去していくことにより、テーパー形状のコンタクト孔6Aを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜とフォトレジスト膜とを順次形成したのちこのフォトレジスト膜に開孔部を形成する工程と、前記半導体基板を水素を含むHF系ガスを用いたプラズマ中で処理し前記開孔部内を含む全面にCとFを主成分とする堆積膜を形成する工程と、この堆積膜と前記絶縁膜に対するエッチング速度がほぼ等しい異方性プラズマエッチング法により前記堆積膜をエッチングし前記開孔部底面の中央から周辺に向って除去すると共に、当該エッチングにより前記開孔部内に露出した前記絶縁膜をエッチングしテーパーを有するコンタクト孔を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/302 M , H01L 21/88 D , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-261837
特開昭62-154734

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