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J-GLOBAL ID：200903031655374912

有機膜形成方法

Inventor： 玉置 徳彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002058356
Publication number (International publication number)：2003257836
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 湿式洗浄処理が行なわれた下地膜上に低粘度の有機材料を用いて、塗布むらのない均一な厚さの有機薄膜を形成できるようにする。【解決手段】 半導体基板10上の下地膜11に対して、CO2 を混入した純水よりなる洗浄液12を用いて湿式洗浄処理を行なう。その後、HMDS蒸気雰囲気中で半導体基板10に対してベークを行なうことにより、下地膜11の表面にトリメチルシラノール13を生成する。これにより、下地膜11の表面は、水に対する接触角が3°以上で且つ30°以下の範囲になるように半疎水化される。その後、下地膜11の上に有機薄膜14を形成する。

Claim (excerpt)：

下地膜に対して湿式洗浄処理を行なう工程と、湿式洗浄処理が行なわれた前記下地膜の表面を、水に対する接触角が3°以上で且つ30°以下の範囲になるように半疎水化する工程と、半疎水化された前記下地膜の表面に有機材料を供給することによって、前記下地膜の上に有機膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする有機膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

FI (2)：

G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 563

F-Term (7)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  2H025DA35 ,  5F046HA01 ,  5F046HA03 ,  5F046HA05