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J-GLOBAL ID：200903031659087160

半導体圧力センサ

Inventor： 浜岡 哲也 ,  笠野 文宏 ,  西村 広海
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 倉田 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992257035
Publication number (International publication number)：1994109570
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】圧力媒体の液体や腐食性ガスの圧力を一重構造のシリコンダイヤフラムにより直接検出できる小型で高精度で安価な半導体圧力センサを提供する。【構成】シリコンダイヤフラム1上に拡散抵抗2による歪みゲージを形成し、シリコンダイヤフラム1の受圧面に保護用薄膜3を設けた。保護用薄膜3は、有機物又は金属又は金属酸化物から構成することが好ましい。【効果】シリコンダイヤフラム1の受圧面の耐環境性が高くなり、圧力媒体の液体や腐食性ガスの圧力を一重構造のシリコンダイヤフラム1により直接検出することができ、小型化、高精度化が可能となる。また、二重構造に比べると、部品点数が減るので、安価に製造できる。

Claim (excerpt)：

シリコンダイヤフラム上に拡散抵抗による歪みゲージを形成し、シリコンダイヤフラムの受圧面に保護用薄膜を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-136132
  
• 特開昭57-069781