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J-GLOBAL ID：200903031660745520

レジストパターン形成方法

Inventor： 石丸 昌晃
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991312326
Publication number (International publication number)：1993152200
Application date： Nov. 27, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 窒化シリコン膜2上に所定寸法のレジスト開口部4を精度良く形成する。【構成】 窒化シリコン膜2の表面に波長180〜220nmの紫外線を照射して、膜表面を改質する。つぎに、カルボキシル基を側鎖に持つレジスト3を塗布し、ベークを行った後、電子線描画を行って、上記レジスト3に所定寸法の開口部4を形成する。上記紫外線照射により、レジスト残渣3bの発生を抑える。

Claim (excerpt)：

窒化シリコン膜の表面にカルボキシル基を側鎖に持つレジストを塗布し、ベークを行った後、電子線描画を行って、上記レジストに所定寸法の開口部を形成するレジストパターン形成方法において、上記レジストを塗布する前に、上記窒化シリコン膜の表面に波長180nm乃至220nmの紫外線を照射することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 361 A ,  H01L 21/30 341 P