タングステン粉末およびその製造方法ならびにスパッタ・ターゲットおよび切削工具

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000298371
Publication number (International publication number)：2002105632
Application date： Sep. 29, 2000
Publication date： Apr. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】タングステン粉末、特に半導体成膜用のタングステンスパッタ・ターゲットの原料として好適な微細で高純度のタングステン粉末、およびその製造方法を提供する。【解決手段】平均粒子径が0.01〜1.5μmである一次粒子とこの一次粒子が凝集した二次粒子とからなり、かつ平均粒子径が1.5〜35μmである二次粒子が粒子全体の70重量%以上を占めることを特徴とする、タングステン粉末。平均粒子径が10〜35μmであるパラタングステン酸アンモニウムを、非還元性雰囲気下、450〜650°Cの温度で熱処理し、次いで、還元性雰囲気下、650〜750°Cの温度で熱処理して製造することを特徴とする、タングステン粉末の製造方法。上記のタングステン粉末を用いたことを特徴とする、タングステンスパッタ・ターゲットおよび切削工具。

Claim (excerpt)：

平均粒子径が0.01〜1.5μmである一次粒子とこの一次粒子が凝集した二次粒子とからなり、かつ平均粒子径が1.5〜35μmである二次粒子が粒子全体の70重量%以上を占めることを特徴とする、タングステン粉末。

IPC (3)：

C23C 14/34 , B22F 1/00 , B22F 9/22

FI (3)：

C23C 14/34 A , B22F 1/00 P , B22F 9/22 H

F-Term (16)：

4K017AA03 , 4K017BA04 , 4K017CA07 , 4K017DA06 , 4K017DA09 , 4K017EH18 , 4K017FB03 , 4K017FB06 , 4K018AA19 , 4K018BA09 , 4K018BB04 , 4K018KA15 , 4K018KA29 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-056607
タングステンスパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-246031 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
特開平2-030706

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