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J-GLOBAL ID：200903031669639560
イ ン ジ ウ ム ス ク ラッ プ か ら の イ ン ジ ウ ム の 回 収 方 法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244077
Publication number (International publication number)：1994065658
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Mar. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 P,As,Ga,Inを主とする高InスクラップよりInを粗Inとして回収する方法の提供を目的とする。【構成】 不純物としてリン、ヒ素、ガリウム、酸素を含有するインジウムスクラップよりインジウムを回収する方法において、該スクラップを湿式で粉砕し、分級し、得た篩上に、その重量に対して5〜20%相当量の水酸化ナトリウムを加え、200 〜 300 °Cに加熱して融解し、次いでソーダスラグと粗インジウムメタルに分離し、ソーダスラグ及び前記分級により得た篩下とを塩酸酸性で酸化浸出し、得た浸出液より浸出液中のインジウムを粗インジウムメタルとして回収することを特徴とする。【効果】 半導体製造関連で発生するP,As,Gaを不純物として含有する高Inスクラップから効果的に粗Inを製造することができる。
Claim (excerpt)：
インジウム、リン、ヒ素、ガリウム、酸素を構成成分とするインジウムスクラップよりインジウムを回収する方法において、該スクラップを湿式で粉砕し、分級し、得た篩上に、その重量に対して 5 〜 20 % 相当量の水酸化ナトリウムを加え、200 〜 300 °Cに加熱して融解し、次いでソーダスラグと粗インジウムメタルに分離し、ソーダスラグ及び前記分級により得た篩下とを塩酸酸性で酸化浸出し、得た浸出液より浸出液中のインジウムを粗インジウムメタルとして回収することを特徴とするインジウムスクラップからのインジウムの回収方法。
Patent cited by the Patent：
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