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J-GLOBAL ID:200903031671171584

銅及び銅基合金とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 浅賀 一樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999114242
Publication number (International publication number):2000307051
Application date: Apr. 21, 1999
Publication date: Nov. 02, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体機器のリードフレーム用銅及び銅基合金に、ワイヤーボンディング用リード線を直接リードフレーム材に接合(ベアボンディング)することを可能にするべアボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法を提案する。【解決手段】 重量%においてP0.01〜0.5%、またはFeNiSnZnCrCoSiMgTiZrの群から選ばれる少なくとも1種を0.01〜5.5%含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなり、トリアゾール類化合物を含む層の厚さが1〜15nmであり、さらに酸化被膜厚さが6nm以下であることを特徴とする銅及び銅基合金とその製造方法。
Claim (excerpt):
トリアゾール類化合物を含む層の厚さが1〜15nmであり、酸化被膜厚さが6nm以下であることを特徴とする銅及び銅基合金。
IPC (9):
H01L 23/50 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  C22C 9/08 ,  C22C 9/10
FI (9):
H01L 23/50 V ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  C22C 9/08 ,  C22C 9/10
F-Term (2):
5F067DF01 ,  5F067EA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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