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J-GLOBAL ID：200903031673576913

半導体発光装置

Inventor：
井上 登美男

About 井上 登美男

, 
右田 幸治

About 右田 幸治


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998169664
Publication number (International publication number)：2000012894
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光素子を搭載するマウント部の反射面の傾斜角度及びこの反射面と発光素子との位置関係を最適化して配光性及び発光輝度を向上させること。【解決手段】 リードフレーム1のマウント部2に半導体発光素子3を導通搭載するとともに透光性の樹脂レンズ5によって封止し、マウント部2の内周面を反射面とした半導体発光装置において、マウント部2の周壁に、光軸に対して傾斜して発光方向に向け拡開する反射面2bと、これよりも光軸となす傾斜角度が小さい配光反射面2cとを区分けして形成し、配光反射面2cと光軸とのなす角度θを0°<θ<20°の範囲とする。
Claim (excerpt)：
リードフレームに設けた底板と周壁から成るマウント部に半導体発光素子を導通搭載し、導通部材とともに前記半導体発光素子及び前記マウント部を含めて透光性樹脂で封止することにより樹脂レンズを形成し、前記マウント部の内周面を前記半導体発光素子からの光の反射面とした半導体発光装置であって、前記マウント部の周壁は、前記樹脂レンズの光軸に対して傾斜して発光方向に向け拡開する反射面と、この反射面よりも光軸となす傾斜角度が小さい配光反射面とを区分けして形成し、前記配光反射面と光軸とのなす角度θが0<θ<25°の範囲であることを特徴とする半導体発光装置。
F-Term (5)：
5F041AA06 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA43 ,  5F041DA57
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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