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J-GLOBAL ID：200903031677982860
成膜装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八木田 茂 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993162573
Publication number (International publication number)：1994220627
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Aug. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】スパッタリング成膜法によりダストの発生の問題及びボイド発生の問題を伴わずに基板上の微細な穴埋めを可能にした成膜装置を提供することを目的とする。【構成】本発明による成膜装置は、ターゲットと基板との距離を少なくとも基板の直径より大きく設定し、スパッタリング成膜時の真空槽内の圧力を1×10-1Pa以下に維持することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
スパッタリングにより基板上の基板上の微細な穴埋めを行うようにした成膜装置において、真空排気され、放電ガスを導入するようにされ、スパッタリング成膜時には1×10-1Pa以下の圧力に維持される真空槽と、真空槽内に対向して配置され、それぞれターゲット及び基板が装着され、しかもそれらの距離が少なくとも基板の直径より大きくなるように位置決めされたターゲット電極及び基板電極とを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (3)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/31
Cited by examiner (5)
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